IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP, Mounting: THT, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 62A, On-state resistance: 2.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 42W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 155nC, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IPA028N08N3GXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 89A TO220FP-3 |
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IPA028N08N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 80V Drain current: 62A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 155nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPA028N08N3GXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 80V Drain current: 62A On-state resistance: 2.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 155nC Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP |
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