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IPA028N08N3GXKSA1

IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies


IPA028N08N3_G.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP
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Technische Details IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP, Mounting: THT, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 62A, On-state resistance: 2.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 42W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 155nC, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: TO220FP, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPA028N08N3 G-DS-v02_00-EN-1122130.pdf MOSFET N-Ch 80V 89A TO220FP-3
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IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA028N08N3G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IPA028N08N3GXKSA1 IPA028N08N3GXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IPA028N08N3G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 62A; 42W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
Technology: OptiMOS™ 3
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