IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPA082N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPA082N10NF2SXKSA1 nach Preis ab 1.11 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 46µA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPA082N10NF2SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0073 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPA082N10NF2SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005549094 |
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IPA082N10NF2SXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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