IPD023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

---

Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 1850 Stücke:

---

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis ohne MwSt
2+	2.13 EUR
10+	1.75 EUR
100+	1.35 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	0.98 EUR
2000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2

kaufen

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details IPD023N04NF2SATMA1 Infineon Technologies

Weitere Produktangebote IPD023N04NF2SATMA1 nach Preis ab 0.94 EUR bis 2.15 EUR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IPD023N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V	auf Bestellung 1706 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 9+ 2.15 EUR 11+  1.75 EUR 100+  1.36 EUR 500+  1.15 EUR 1000+  0.94 EUR Mindestbestellmenge: 9 kaufen
	IPD023N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 40V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IPD023N04NF2SATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 143A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen