IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 10.21 EUR |
| 10+ | 8.75 EUR |
| 100+ | 7.29 EUR |
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Technische Details IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPP051N15N5XKSA1 nach Preis ab 5.89 EUR bis 8.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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IPP051N15N5XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.0051 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP051N15N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IPP051N15N5XKSA1 |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP051N15N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IPP051N15N5XKSA1 |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP051N15N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPP051N15N5XKSA1 |
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IPP051N15N5XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
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