IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2000+ | 7.48 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IPT010N08NM5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 425A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPT010N08NM5ATMA1 nach Preis ab 6.66 EUR bis 13.95 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
auf Bestellung 710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT010N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 425 A, 0.00096 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 425A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 960µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | SP005560711 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 43A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
IPT010N08NM5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V |
Produkt ist nicht verfügbar |