IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IPT020N10N3ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IPT020N10N3ATMA1 nach Preis ab 7.95 EUR bis 14.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 7273 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 212A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IPT020N10N3ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 212A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 156nC Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
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