IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IPU80R1K4P7AKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IPU80R1K4P7AKMA1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 32W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 32W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET LOW POWER_NEW |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 700µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-21 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.05 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IPU80R1K4P7AKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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IPU80R1K4P7AKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
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