Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IPW65R080CFDFKSA2
IPW65R080CFDFKSA2

IPW65R080CFDFKSA2 Infineon Technologies


48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+10.22 EUR
18+ 8.35 EUR
25+ 8.01 EUR
60+ 6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IPW65R080CFDFKSA2 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 391W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CFD2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IPW65R080CFDFKSA2 nach Preis ab 6.1 EUR bis 14.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFDFKSA2 Hersteller : Infineon Technologies 48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+10.22 EUR
18+ 8.35 EUR
25+ 8.01 EUR
60+ 6.1 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFDFKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IPW65R080CFD-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=db3a30432e0bea21012e14e6178c6e0a Description: MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5030 pF @ 100 V
auf Bestellung 154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+14.31 EUR
30+ 14.3 EUR
120+ 9.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFDFKSA2 Hersteller : Infineon Technologies 48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFDFKSA2 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0001301486-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPW65R080CFDFKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 236 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFDFKSA2 Hersteller : Infineon Technologies 48743927409370128dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8dfd1515f0fileiddb3a30432e0bea2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 43.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
IPW65R080CFDFKSA2 IPW65R080CFDFKSA2 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IPW65R080CFD_DS_v02_04_EN-1227273.pdf MOSFETs Y
Produkt ist nicht verfügbar