IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V

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Technische Details IQD009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IQD009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 28+ 5.61 EUR 32+  4.75 EUR 34+  4.34 EUR 100+  3.69 EUR 250+  3 EUR Mindestbestellmenge: 28 kaufen
	IQD009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 28+ 5.61 EUR 32+  4.75 EUR 34+  4.34 EUR 100+  3.69 EUR 250+  3 EUR Mindestbestellmenge: 28 kaufen
	IQD009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V	auf Bestellung 4988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 7.09 EUR 10+  5.95 EUR 100+  4.81 EUR 500+  4.28 EUR 1000+  3.66 EUR 2000+  3.45 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	IQD009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	N-channel Power MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	TRENCH 40<-<100V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IQD009N06NM5ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 445A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 163µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-9 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 30 V	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen