IR2104PBF

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Produktcode: 61916

Hersteller: IR
Gehäuse: PDIP-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 130/270
V out, V: 10-20V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C

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Technische Details IR2104PBF IR

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit entfalten einschränken alle	Preis ohne MwSt
	IR2104PBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 21+ 3.42 EUR 24+  3.09 EUR 31+  2.36 EUR 33+  2.23 EUR Mindestbestellmenge: 21 kaufen
	IR2104PBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns	auf Bestellung 56 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 21+ 3.42 EUR 24+  3.09 EUR 31+  2.36 EUR 33+  2.23 EUR Mindestbestellmenge: 21 kaufen
	IR2104PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns Channel Type: Synchronous Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA DigiKey Programmable: Not Verified	auf Bestellung 2812 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 4+ 5.74 EUR 10+  5.14 EUR 50+  4.86 EUR 100+  4.22 EUR 250+  4 EUR 500+  3.59 EUR 1000+  3.03 EUR 2500+  2.87 EUR Mindestbestellmenge: 4 kaufen
	IR2104PBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IR2104PBF - MOSFET-IC, zweifach, Halbbrücke, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns Verzögerung, DIP-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: DIP Eingang: Nicht invertierend MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -55°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 1598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IR2104PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Driver 600V 0.36A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin PDIP Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IR2104PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Driver 0.36A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IR2104PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Driver 0.36A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin PDIP Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IR2104PBF	Hersteller : Infineon Technologies	Gate Drivers Hlf Brdg Drvr 1 Inpt + Invrt ShutDwn Pin	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT

verfügbar: 530 Stück

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10uF 35V EXR 5x11mm (EXR100M35B-Hitano) Produktcode: 13475

Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 35V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

verfügbar: 638 Stück

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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT

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TL431ACLP Produktcode: 26293

Hersteller: TI
IC > IC Spannungs Supervisor, Akku-Laderegler
Gehäuse: TO-226AA
Kurzbeschreibung: Adjustable precision shunt regulators
Spannung: 36V
Temp.Bereich: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги

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100+	0.1 EUR

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R16 100 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B104-L15) Produktcode: 26715

Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 100 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний

verfügbar: 267 Stück

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169 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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1000 Stück - erwartet 10.07.2024

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