IRG4PF50W


Produktcode: 197675
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule

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Technische Details IRG4PF50W

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Max Voltage Vce Sat:2.7V
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:900V
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-247
  • Current Temperature:25`C
  • Fall Time Tf:220ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Current Ic Continuous a:51A
  • Max Fall Time:220ns
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:200W
  • Power Dissipation Pd:200W
  • Pulsed Current Icm:204A
  • Rise Time:26ns
  • Transistor Polarity:N

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRG4PF50W IRG4PF50W Hersteller : Infineon Technologies irg4pf50w.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 51A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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