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IRL2910

IRL2910

irl2910-datasheet.pdf
Produktcode: 99525
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 55
Rds(on), Ohm: 0.026
Ciss, pF/Qg, nC: 3700/140
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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IRL2910PBF IRL2910PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL2910_DataSheet_v01_01_EN-3363555.pdf MOSFET MOSFT 48A 93.3nC 26mOhm LogLvAB
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IRL2910PBF IRL2910PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl2910-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2910 IRL2910 Hersteller : Infineon Technologies irl2910.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2910PBF IRL2910PBF Hersteller : Infineon Technologies irl2910pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRL2910PBF IRL2910PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL2910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Produkt ist nicht verfügbar
IRL2910PBF IRL2910PBF Hersteller : Infineon Technologies irl2910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9013250b Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
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Produktcode: 18266		 multilayer_ceramic_capaacitorsepoxy.pdf
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 100V
TKE: NP0
Präzision: ±5% J
Abmessungen: 5,08mm
Part Nummer: R15N102J2AH5-L
verfügbar: 1208 Stück
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Produktcode: 31595		 G1502.pdf
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Hersteller: Gainta
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Gehäuse
Beschreibung: Gehause mit Alu. forder Platte,4 gummi Beine
Reihe, Typ, Gruppe: Gehause
Material: Plastik/Aluminium
Farbe: алюмінієвий
Abmessungen, LхBхH: 228x216x76/50mm
Ширина, мм: 228,0 mm
Висота, мм: 76,0 mm
№ 7: 3923909000
Загальні габарити: 216,0x228,0x76,0 mm
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10 Stück - erwartet 21.08.2024
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Produktcode: 3129		 ECR_081225.pdf
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Hersteller: Hitano
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Kapazität: 10uF
Nennspannung: 50V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 914 Stück:
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10000 Stück - erwartet 15.07.2024
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Produktcode: 3032		 EHR_081225.pdf
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Kapazität: 470uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 1819 Stück
erwartet: 3000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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10+ 0.12 EUR
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1000+ 0.067 EUR
STP60NF06
Produktcode: 2993		 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 60
Rds(on), Ohm: 0.014
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung 655 Stück:
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10+ 0.67 EUR