ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 360mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.356ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote ISS17EP06LMXTSA1 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.62 EUR
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Verfügbarkeit |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 30 V |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - ISS17EP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.356 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.356ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.356ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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ISS17EP06LMXTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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