IXBT24N170 IXYS
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268
Technology: BiMOSFET™
Mounting: SMD
Case: TO268
Kind of package: tube
Turn-off time: 1285ns
Turn-on time: 190ns
Pulsed collector current: 230A
Power dissipation: 250W
Collector current: 24A
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 0.14µC
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
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auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3+ | 29.4 EUR |
10+ | 29.07 EUR |
30+ | 28.36 EUR |
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Technische Details IXBT24N170 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268, Technology: BiMOSFET™, Mounting: SMD, Case: TO268, Kind of package: tube, Turn-off time: 1285ns, Turn-on time: 190ns, Pulsed collector current: 230A, Power dissipation: 250W, Collector current: 24A, Features of semiconductor devices: high voltage, Gate charge: 0.14µC, Gate-emitter voltage: ±20V, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 1.7kV, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXBT24N170 nach Preis ab 29.07 EUR bis 29.4 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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IXBT24N170 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1.7kV; 24A; 250W; TO268 Technology: BiMOSFET™ Mounting: SMD Case: TO268 Kind of package: tube Turn-off time: 1285ns Turn-on time: 190ns Pulsed collector current: 230A Power dissipation: 250W Collector current: 24A Features of semiconductor devices: high voltage Gate charge: 0.14µC Gate-emitter voltage: ±20V Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.7kV |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXBT24N170 | Hersteller : IXYS | Description: IGBT 1700V 60A 250W TO268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXBT24N170 | Hersteller : IXYS | IGBT Transistors BiMOSFETs/Reverse Conducting IGBTs |
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