auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 111.58 EUR |
| 10+ | 107.78 EUR |
| 30+ | 98.21 EUR |
| 60+ | 98.1 EUR |
| 120+ | 91.59 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXBX50N360HV IXYS
Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660W, Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BiMOSFET Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote IXBX50N360HV nach Preis ab 92.83 EUR bis 114.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXBX50N360HV | Hersteller : IXYS |
 Description: IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUSPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 1.7 µs Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV Td (on/off) @ 25°C: 46ns/205ns Test Condition: 960V, 50A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 210 nC Current - Collector (Ic) (Max): 125 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A Power - Max: 660 W |
auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXBX50N360HV | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXBX50N360HV - IGBT, 125 A, 2.4 V, 660 W, 3.6 kV, TO-247PLUS-HV, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 660W Bauform - Transistor: TO-247PLUS-HV Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BiMOSFET Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.6kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 125A SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 84 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||
 |
IXBX50N360HV | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 3600V 125A 660000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247PLUS-HV |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||
| IXBX50N360HV | Hersteller : IXYS |
IXBX50N360HV THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |