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IXGH16N170

IXGH16N170 IXYS

ixys_s_a0008595176_1-2272819.pdf
Produktcode: 119539
Hersteller: IXYS
Gehäuse: TO-247
Vces: 1700 V
Vce: 3,5 V
Ic 25: 32 A
Ic 100: 16 A
auf Bestellung 9 Stück:
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IXGH16N170 IXGH16N170 Hersteller : IXYS media-3320700.pdf IGBT Transistors 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
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1+19.17 EUR
10+ 18.36 EUR
30+ 16.86 EUR
60+ 16.53 EUR
IXGH16N170 IXGH16N170 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 32A 190W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
auf Bestellung 4130 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+20.38 EUR
10+ 17.95 EUR
100+ 15.53 EUR
500+ 14.07 EUR
1000+ 12.91 EUR
IXGH16N170 IXGH16N170 Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
auf Bestellung 149 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IXGH16N170 IXGH16N170 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXGH16N170 IXGH16N170 Hersteller : IXYS IXGH16N170-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXGH16N170 IXGH16N170 Hersteller : IXYS IXGH16N170-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
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