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Technische Details IXTA05N100 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns, Mounting: SMD, Case: TO263, Reverse recovery time: 710ns, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 0.75A, On-state resistance: 17Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 40W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTA05N100 | Hersteller : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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IXTA05N100 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A On-state resistance: 17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXTA05N100 | Hersteller : IXYS |
MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds |
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IXTA05N100 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns Mounting: SMD Case: TO263 Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.75A On-state resistance: 17Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 40W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of channel: enhanced |
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