auf Bestellung 798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 8.31 EUR |
| 10+ | 6.99 EUR |
| 25+ | 6.6 EUR |
| 100+ | 5.67 EUR |
| 250+ | 5.33 EUR |
| 500+ | 5.26 EUR |
| 800+ | 4.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTA130N10T-TRL IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchMV™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 130A, Pulsed drain current: 350A, Power dissipation: 360W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 9.1mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 104nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 77ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote IXTA130N10T-TRL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA130N10T-TRL | Hersteller : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchMV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 77ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
IXTA130N10T-TRL | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
IXTA130N10T-TRL | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO263 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| IXTA130N10T-TRL | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchMV™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Pulsed drain current: 350A Power dissipation: 360W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 104nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 77ns |
Produkt ist nicht verfügbar |