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IXYH20N120C3D1

IXYH20N120C3D1 IXYS

IXYH20N120C3D1.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 0.22µs
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Technische Details IXYH20N120C3D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 195 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns, Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off), Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 53 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 36 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A, Power - Max: 230 W.

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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 Hersteller : IXYS IXYH20N120C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 230W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; XPT™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 88A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 Hersteller : IXYS media-3323059.pdf IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh20n120c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/90ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 88 A
Power - Max: 230 W
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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 Hersteller : Littelfuse se_discrete_igbts_xpt_planar_1200v_xpt_product_flyer.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXYH20N120C3D1 IXYH20N120C3D1 Hersteller : Littelfuse se_discrete_igbts_xpt_planar_1200v_xpt_product_flyer.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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