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Technische Details JAN1N3613 Microchip / Microsemi
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: A, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: A, Axial, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Military, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V, Qualification: MIL-PRF-19500/228.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| JAN1N3613 | Hersteller : MICROSEMI |
 DO-41/1 A, SILICON, SIGNAL DIODE JAN1N3613Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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JAN1N3613 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 300 V Qualification: MIL-PRF-19500/228 |
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