KBJ3510 SEP
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| KBJ3510 | Hersteller : LTTSC |
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auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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KBJ3510 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE KBJ TUB Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, KBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: KBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
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| KBJ3510 | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Medium/High Power Bridge KBJ TUBE 20PCS |
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| Sicherung 6х30mm 15A 250V Produktcode: 22078 |
Hersteller: Global Tone
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 15A 250V 6x30mm F
Nennstrom, А: 15A
Größe: 6х30mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen, in Glas, 15A 250V 6x30mm F
Nennstrom, А: 15A
Größe: 6х30mm
Bemerkung: Без виводів
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
verfügbar: 5270 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.1 EUR |
| 10+ | 0.06 EUR |
| 100+ | 0.031 EUR |
| MBR2045CT Produktcode: 172116 |
|
Hersteller: DIODES
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 45 V
If(A): 20 A
VF@IF: 0,57 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 45 V
If(A): 20 A
VF@IF: 0,57 V
Bemerkung: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
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| GBJ2510 диодный мост Produktcode: 177798 |
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000 V
I dir: 25 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: GBJ
Urew: 1000 V
I dir: 25 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 350 A
auf Bestellung 451 Stück:
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| STW14NK50Z Produktcode: 3300 |
 |
|
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 500
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.38
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/69
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 45 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 6 EUR |
| 10+ | 5.1 EUR |
| 2200uF 10V ECR 10x16mm (ECR222M10B-Hitano) Produktcode: 2949 |
|
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200uF
Nennspannung: 10V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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