Produkte > ON SEMICONDUCTOR > KSC1008CYTA
KSC1008CYTA

KSC1008CYTA ON Semiconductor


ksc1008-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.11 EUR
8000+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details KSC1008CYTA ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: KSC1008, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote KSC1008CYTA nach Preis ab 0.084 EUR bis 0.61 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : onsemi ksc1008-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2000+0.12 EUR
4000+ 0.11 EUR
6000+ 0.1 EUR
10000+ 0.097 EUR
14000+ 0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : onsemi ksc1008-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 2565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
42+0.42 EUR
62+ 0.29 EUR
100+ 0.19 EUR
500+ 0.15 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 42
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : ONSEMI KSC1008.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
136+0.53 EUR
363+ 0.2 EUR
521+ 0.14 EUR
596+ 0.12 EUR
782+ 0.092 EUR
834+ 0.086 EUR
4000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 136
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : ONSEMI KSC1008.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.7A; 0.8W; TO92
Mounting: THT
Case: TO92
Kind of package: Ammo Pack
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 120...240
Collector current: 0.7A
Type of transistor: NPN
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
136+0.53 EUR
363+ 0.2 EUR
521+ 0.14 EUR
596+ 0.12 EUR
782+ 0.092 EUR
834+ 0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 136
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : onsemi / Fairchild KSC1008_D-2314516.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
auf Bestellung 4170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.61 EUR
10+ 0.37 EUR
100+ 0.18 EUR
1000+ 0.15 EUR
2000+ 0.12 EUR
10000+ 0.1 EUR
24000+ 0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013713723-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSC1008CYTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 700 mA, 800 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: KSC1008
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 14060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : ON Semiconductor ksc1008-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : ON Semiconductor ksc1008-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar
KSC1008CYTA KSC1008CYTA Hersteller : ON Semiconductor ksc1008-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Produkt ist nicht verfügbar