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Technische Details MCB60I1200TZ-TUB IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; TO268AAHV, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 70A, Case: TO268AAHV, On-state resistance: 25mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 160C, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MCB60I1200TZ-TUB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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| MCB60I1200TZ-TUB | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; TO268AAHV Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 70A Case: TO268AAHV On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160C Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MCB60I1200TZ-TUB | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 70A; TO268AAHV Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 70A Case: TO268AAHV On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 160C Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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