MD200HFR120C2S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Technische Details MD200HFR120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 299A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MD200HFR120C2S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MD200HFR120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 200A On-state resistance: 10mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 822A Case: C2 62mm Anzahl je Verpackung: 6 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MD200HFR120C2S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 200A; C2 62mm; Idm: 822A; SiC Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 200A On-state resistance: 10mΩ Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Gate-source voltage: ±20V Topology: MOSFET half-bridge Pulsed drain current: 822A Case: C2 62mm |
Produkt ist nicht verfügbar |