MG12200D-BN2MM Littelfuse Inc.
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Technische Details MG12200D-BN2MM Littelfuse Inc.
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Case: Y3-DCB, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MG12200D-BN2MM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MG12200D-BN2MM | Hersteller : Littelfuse |
 IGBT Modules 1200V 200A Dual |
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MG12200D-BN2MM | Hersteller : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 290A 1050000mW 7-Pin Package D Bulk |
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| MG12200D-BN2MM | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: Y3-DCB Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MG12200D-BN2MM | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Case: Y3-DCB Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Field Stop; Trench Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A |
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