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MIXA225RF1200TSF Littelfuse


120mixa225rf1200tsf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Module N-CH 1200V 360A 1100000mW SimBus F
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Technische Details MIXA225RF1200TSF Littelfuse

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor, Case: SimBus F, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 250A, Pulsed collector current: 500A, Power dissipation: 1.1kW, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Sonic FRD™; XPT™, Topology: boost chopper; NTC thermistor, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MIXA225RF1200TSF Hersteller : IXYS MIXA225RF1200TSF.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 250A
Pulsed collector current: 500A
Power dissipation: 1.1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Topology: boost chopper; NTC thermistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MIXA225RF1200TSF Hersteller : IXYS MIXA225RF1200TSF.pdf Description: IGBT MOD 1200V 360A 1100W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
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MIXA225RF1200TSF MIXA225RF1200TSF Hersteller : IXYS MIXA225RF1200TSF-3311736.pdf IGBT Modules XPT IGBT Module
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MIXA225RF1200TSF Hersteller : IXYS MIXA225RF1200TSF.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper,NTC thermistor
Case: SimBus F
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 250A
Pulsed collector current: 500A
Power dissipation: 1.1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; XPT™
Topology: boost chopper; NTC thermistor
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