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Technische Details MIXA61WB1200TEH IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Collector current: 190A, Electrical mounting: Press-in PCB, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: XPT™, Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Case: E3-Pack, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote MIXA61WB1200TEH
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| MIXA61WB1200TEH | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™ Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Collector current: 190A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: XPT™ Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: E3-Pack Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| MIXA61WB1200TEH | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; XPT™ Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Collector current: 190A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: XPT™ Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: E3-Pack |
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