MJ15022G ON Semiconductor
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Technische Details MJ15022G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJ15022G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 16A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-3, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 4MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MJ15022G nach Preis ab 6.92 EUR bis 12.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MJ15022G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ15022G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ15022G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 16A 200V 250W NPN |
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MJ15022G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 200V 16A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 250 W |
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MJ15022G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ15022G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ15022G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 200 V, 16 A, 250 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 16A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 4MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MJ15022G Produktcode: 143593 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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MJ15022G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ15022G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 200V 16A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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MJ15022G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 16A Power dissipation: 250W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 4MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MJ15022G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 200V; 16A; 250W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 200V Collector current: 16A Power dissipation: 250W Case: TO3 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 4MHz |
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