MJD112T4 STMicroelectronics
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 0.32 EUR |
| 5000+ | 0.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MJD112T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote MJD112T4 nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.66 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington Case: DPAK Frequency: 25MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington Case: DPAK Frequency: 25MHz |
auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
auf Bestellung 9251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Darlington Transistors NPN Power Darlington |
auf Bestellung 4505 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - MJD112T4 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 2117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
 |
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| MJD112T4 | Hersteller : STM |
Біполярний транзистор ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
MJD112T4 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 26922 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
MJD112T4 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans Darlington NPN 100V 2A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |