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MMDT2227Q-7-F

MMDT2227Q-7-F Diodes Incorporated


MMDT2227Q.pdf Hersteller: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details MMDT2227Q-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW, tariffCode: 85411000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Hersteller : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004566219_1-2542593.pdf Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT363 T&R 3K
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004566219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 200mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0004566219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT2227Q-7-F - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Hersteller : Diodes Zetex mmdt2227q.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Hersteller : Diodes Inc 2917mmdt2227q.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT2227Q-7-F MMDT2227Q-7-F Hersteller : Diodes Incorporated MMDT2227Q.pdf Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
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