MMRF1007HR5 NXP Semiconductors
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Technische Details MMRF1007HR5 NXP Semiconductors
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4H, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 20dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Weitere Produktangebote MMRF1007HR5 nach Preis ab 1170.12 EUR bis 1224.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
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MMRF1007HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R |
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MMRF1007HR5 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 110V 5-Pin NI-1230 T/R |
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| MMRF1007HR5 | Hersteller : NXP USA Inc. |
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4H Frequency: 1.03GHz Configuration: Dual Power - Output: 1000W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4H Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 110 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 150 mA |
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| MMRF1007HR5 | Hersteller : NXP / Freescale |
RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V |
Produkt ist nicht verfügbar |