MSC025SMA120B4 Microchip Technology
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Technische Details MSC025SMA120B4 Microchip Technology
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V.
Weitere Produktangebote MSC025SMA120B4 nach Preis ab 47.68 EUR bis 79.78 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology | 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology | 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology | 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology | 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology | UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-247 4-LEAD |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology | 1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 500W Case: TO247-4 On-state resistance: 31mΩ Mounting: THT Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V |
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MSC025SMA120B4 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 275A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 275A Power dissipation: 500W Case: TO247-4 On-state resistance: 31mΩ Mounting: THT Gate charge: 232nC Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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