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MSC030SDA170B

MSC030SDA170B Microchip Technology


Microsemi_MSC030SDA170B_SiC_Schottky_Diode_Datashe-3444464.pdf Hersteller: Microchip Technology
SiC Schottky Diodes SIC SBD 1700 V 30 A TO-247
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Technische Details MSC030SDA170B Microchip Technology

Description: MICROCHIP - MSC030SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 30 A, 230 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 230nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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MSC030SDA170B MSC030SDA170B Hersteller : Microchip Technology msc030sda170ds.pdf Schottky Barrier Diodes
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MSC030SDA170B MSC030SDA170B Hersteller : MICROCHIP 3683073.pdf Description: MICROCHIP - MSC030SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 30 A, 230 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 230nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
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Produktpalette: PW Series
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MSC030SDA170B Hersteller : Microsemi 1244151-msc030sda170b-datasheet Schottky Barrier Diodes
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MSC030SDA170B MSC030SDA170B Hersteller : Microchip Technology msc030sda170ds.pdf Schottky Barrier Diodes
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MSC030SDA170B MSC030SDA170B Hersteller : Microchip Technology msc030sda170ds.pdf Schottky Barrier Diodes
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MSC030SDA170B MSC030SDA170B Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) MSC030SDA170B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 30A; TO247-2; Ir: 125uA
Mounting: THT
Case: TO247-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 353A
Leakage current: 125µA
Power dissipation: 186W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MSC030SDA170B MSC030SDA170B Hersteller : Microchip Technology 1244151-msc030sda170b-datasheet Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 82A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2070pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
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MSC030SDA170B MSC030SDA170B Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) MSC030SDA170B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 30A; TO247-2; Ir: 125uA
Mounting: THT
Case: TO247-2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Max. forward voltage: 2.25V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 353A
Leakage current: 125µA
Power dissipation: 186W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
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