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MTB16N25ET4

MTB16N25ET4 onsemi


ONSMS12521-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: onsemi
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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Technische Details MTB16N25ET4 onsemi

Description: ONSEMI - MTB16N25ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: D2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TMOS E-FET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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MTB16N25ET4 MTB16N25ET4 Hersteller : ONSEMI ONSMS12521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MTB16N25ET4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 16 A, 0.17 ohm, D2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: D2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMOS E-FET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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