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MUN5111T1G

MUN5111T1G ON Semiconductor

dta114e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MUN5111T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : onsemi DTA114E_D-2310690.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ON Semiconductor DTA114E-D-1773641.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR PNP 50V
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ONSEMI dta114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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MUN5111T1G MUN5111T1G Hersteller : ONSEMI dta114e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.202W; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.202W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 35...60
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
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