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NE5517DR2G

NE5517DR2G onsemi

ne5517-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-SOIC
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
Current - Output / Channel: 500 µA
Voltage - Supply Span (Min): 4 V
Voltage - Supply Span (Max): 44 V
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Technische Details NE5517DR2G onsemi

Description: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Output Type: Push-Pull, Mounting Type: Surface Mount, Amplifier Type: Transconductance, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C, Current - Supply: 2.6mA, Slew Rate: 50V/µs, Gain Bandwidth Product: 2 MHz, Current - Input Bias: 400 nA, Voltage - Input Offset: 400 µV, Supplier Device Package: 16-SOIC, Part Status: Active, Number of Circuits: 2, Current - Output / Channel: 500 µA, Voltage - Supply Span (Min): 4 V, Voltage - Supply Span (Max): 44 V.

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NE5517DR2G NE5517DR2G Hersteller : ON Semiconductor ne5517-d.pdf SP Amp Transconductance Amplifier Dual ±22V/44V 16-Pin SOIC T/R
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NE5517DR2G NE5517DR2G Hersteller : onsemi ne5517-d.pdf Description: IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Amplifier Type: Transconductance
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Current - Supply: 2.6mA
Slew Rate: 50V/µs
Gain Bandwidth Product: 2 MHz
Current - Input Bias: 400 nA
Voltage - Input Offset: 400 µV
Supplier Device Package: 16-SOIC
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NE5517DR2G NE5517DR2G Hersteller : onsemi NE5517_D-2317738.pdf Transconductance Amplifiers Transconductance Dual Commercial Temp
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NE5517DR2G Hersteller : ON ne5517-d.pdf 07+;
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