Produkte > ONSEMI > NJVMJD117T4G
NJVMJD117T4G

NJVMJD117T4G onsemi


mjd112-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NJVMJD117T4G onsemi

Description: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 20µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V, Frequency - Transition: 25MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.75 W.

Weitere Produktangebote NJVMJD117T4G nach Preis ab 0.66 EUR bis 1.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NJVMJD117T4G Hersteller : onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors BIP PNP 2A 100V TR
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.65 EUR
10+ 1.37 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.9 EUR
1000+ 0.74 EUR
2500+ 0.69 EUR
5000+ 0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NJVMJD117T4G NJVMJD117T4G Hersteller : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar