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NSM4002MR6T1G

NSM4002MR6T1G onsemi

nsm4002mr6-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 40V/45V SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 100MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
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Technische Details NSM4002MR6T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Verlustleistung, PNP: -W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A, Übergangsfrequenz, PNP: -MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Verlustleistung, NPN: 500µW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Hersteller : onsemi NSM4002MR6_D-2318258.pdf Bipolar Transistors - BJT DUAL NPN TRANSISTORS
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NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Hersteller : onsemi nsm4002mr6-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V/45V SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 250 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz, 100MHz
Supplier Device Package: SC-74
Part Status: Active
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NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Hersteller : ONSEMI 1858690.pdf Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 500 mA, 500 µW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung, PNP: -W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -A
Übergangsfrequenz, PNP: -MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 45V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -hFE
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Verlustleistung, NPN: 500µW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 500mA
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NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Hersteller : ON Semiconductor nsm4002mr6-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.2A/0.5A 300mW 6-Pin SC-74 T/R
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NSM4002MR6T1G NSM4002MR6T1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000774865-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSM4002MR6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NSM4002MR6T1G Hersteller : ON Semiconductor nsm4002mr6-d.pdf
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