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NTD4805NT4G ONSEMI

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 95
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 11.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

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Technische Details NTD4805NT4G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTD4805NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 95 A, 0.0043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 95, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043, Rds(on)-Prüfspannung: 11.5, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Weitere Produktangebote NTD4805NT4G

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit
NTD4805NT4G	Hersteller : onsemi	Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V	auf Bestellung 663024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTD4805NT4G	Hersteller : ON Semiconductor	MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM	auf Bestellung 6521 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)
NTD4805NT4G	Hersteller : ON	07+ TO-252/D-PAK	auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NT4G	Hersteller : ON	TO-252/D-PAK	auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NT4G	Hersteller : ON Semiconductor		auf Bestellung 4820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTD4805NT4G	Hersteller : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; Idm: 175A; 79W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 73A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 175A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NT4G	Hersteller : onsemi	Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V	Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NT4G	Hersteller : onsemi	Description: MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.7A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.41W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865 pF @ 12 V	Produkt ist nicht verfügbar
NTD4805NT4G	Hersteller : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 73A; Idm: 175A; 79W; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Drain-source voltage: 30V Drain current: 73A On-state resistance: 6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 79W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 175A	Produkt ist nicht verfügbar