NTE128 NTE Electronics, Inc
Hersteller: NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-39
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 800 mW
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 4.26 EUR |
10+ | 4.05 EUR |
20+ | 3.84 EUR |
50+ | 3.63 EUR |
100+ | 3.54 EUR |
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Technische Details NTE128 NTE Electronics, Inc
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Bag, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.
Weitere Produktangebote NTE128 nach Preis ab 2.92 EUR bis 16.04 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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NTE128 | Hersteller : NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
auf Bestellung 640 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE128 | Hersteller : NTE ELECTRONICS |
Description: NTE ELECTRONICS - NTE128 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 300 MSL: - Verlustleistung Pd: 800 Übergangsfrequenz ft: 400 Bauform - Transistor: TO-39 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTE128 | Hersteller : NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
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