NTLJD3119CTBG ON Semiconductor
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Technische Details NTLJD3119CTBG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote NTLJD3119CTBG nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : onsemi |
MOSFETs COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm |
auf Bestellung 90269 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
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| NTLJD3119CTBG | Hersteller : ONSEMI |
NTLJD3119CTBG Multi channel transistors |
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