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NTTFS3D7N06HLTWG

NTTFS3D7N06HLTWG onsemi

nttfs3d7n06hl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details NTTFS3D7N06HLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG Hersteller : onsemi nttfs3d7n06hl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
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NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG Hersteller : onsemi NTTFS3D7N06HL_D-2319160.pdf MOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
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100+ 2.64 EUR
250+ 2.52 EUR
500+ 2.2 EUR
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NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG Hersteller : ONSEMI nttfs3d7n06hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTTFS3D7N06HLTWG NTTFS3D7N06HLTWG Hersteller : ONSEMI nttfs3d7n06hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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