NVHL080N120SC1 ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| 450+ | 37.66 EUR |
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Technische Details NVHL080N120SC1 ON Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V.
Weitere Produktangebote NVHL080N120SC1 nach Preis ab 32.51 EUR bis 48.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NVHL080N120SC1 | Hersteller : onsemi |
MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A |
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NVHL080N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247 tariffCode: 85413000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm |
auf Bestellung 2242 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NVHL080N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
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NVHL080N120SC1 Produktcode: 178409 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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NVHL080N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NVHL080N120SC1 | Hersteller : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V |
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