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NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

NVTFS9D6P04M8L_D-2319682.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
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Technische Details NVTFS9D6P04M8LTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm.

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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
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NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Hersteller : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
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