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NX3008CBKV,115

NX3008CBKV,115 Nexperia


nx3008cbkv.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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Technische Details NX3008CBKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008CBKV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. NX3008CBKV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
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Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : Nexperia NX3008CBKV-2937920.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications NX3008CBKV/SOT666/SOT6
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003510842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
tariffCode: 85411000
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
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Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : NEXPERIA nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : Nexperia nx3008cbkv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : NEXPERIA NX3008CBKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4/-0.22A
Drain-source voltage: 30/-30V
Case: SOT666
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Hersteller : NEXPERIA NX3008CBKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.4/-0.22A; 1.09W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.09W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.4/-0.22A
Drain-source voltage: 30/-30V
Case: SOT666
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of channel: enhanced
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