P6F50HP2-5600 SHINDENGEN
Hersteller: SHINDENGENCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.35Ω
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 62.5W
Technology: Hi-PotMOS2
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 15nC
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 71+ | 1.02 EUR |
| 81+ | 0.89 EUR |
| 90+ | 0.8 EUR |
| 117+ | 0.61 EUR |
| 122+ | 0.59 EUR |
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Technische Details P6F50HP2-5600 SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 6A, Case: FTO-220AG (SC91), Mounting: THT, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 1.35Ω, Pulsed drain current: 24A, Power dissipation: 62.5W, Technology: Hi-PotMOS2, Kind of channel: enhanced, Gate charge: 15nC, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: bulk, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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P6F50HP2-5600 | Hersteller : SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Polarisation: unipolar On-state resistance: 1.35Ω Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Technology: Hi-PotMOS2 Kind of channel: enhanced Gate charge: 15nC Gate-source voltage: ±30V Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 172 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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P6F50HP2-5600 | Hersteller : Shindengen | MOSFET High Switching Speed High Voltage |
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