P9B40HP2-5071 SHINDENGEN
Hersteller: SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 40W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details P9B40HP2-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Hi-PotMOS2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 9A, Pulsed drain current: 36A, Power dissipation: 40W, Case: FB (TO252AA), Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.8Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14.5nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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P9B40HP2-5071 | Hersteller : Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
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| P9B40HP2-5071 | Hersteller : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 40W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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