PD54003-E STMicroelectronics
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Technische Details PD54003-E STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10, Packaging: Tube, Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad, Current Rating (Amps): 4A, Frequency: 500MHz, Power - Output: 3W, Gain: 12dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: 10-PowerSO, Voltage - Rated: 25 V, Voltage - Test: 7.5 V, Current - Test: 50 mA.
Weitere Produktangebote PD54003-E nach Preis ab 10.17 EUR bis 19.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
RF MOSFET Transistors RF POWER transistor LDMOST family N-Chan |
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF MOSFET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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| PD54003-E |
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| PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans RF FET N-CH 25V 4A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube |
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.jpg "PD54003-E") |
PD54003-E | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10 Packaging: Tube Package / Case: PowerSO-10 Exposed Bottom Pad Current Rating (Amps): 4A Frequency: 500MHz Power - Output: 3W Gain: 12dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: 10-PowerSO Voltage - Rated: 25 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 50 mA |
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