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Technische Details PDTA114ET,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: PDTA114E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PDTA114ET,215 nach Preis ab 0.012 EUR bis 0.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Digital Transistors PDTA114ET/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 20669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
auf Bestellung 23177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA114ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA114E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PDTA114ET,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 101000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PDTA114ET,215 | Hersteller : NXP |
Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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| PDTA114ET,215 | Hersteller : NXP |
Transistor PNP; 30; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Replacement: PDTA114ET,235 (10K/RL); PDTA114ET,215 (3K/RL); PDTA114ET/DG/B2; PDTA114ET/DG/B4,21; PDTA114ET,215 TPDTA114et Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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PDTA114ET.215 Produktcode: 133123 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP Gehäuse: SOT-23 fT: 180 MHz U, V: 50 V U, V: 50 V I, А: 0,1 A |
Produkt ist nicht verfügbar
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PDTA114ET,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |