PDTA124EQB-QZ Nexperia
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Technische Details PDTA124EQB-QZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PDTA124EQB-QZ nach Preis ab 0.026 EUR bis 0.51 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PDTA124EQB-QZ | Hersteller : Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 420mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D T/R |
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PDTA124EQB-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
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PDTA124EQB-QZ | Hersteller : Nexperia | Digital Transistors PDTA124EQB-Q/SOT8015/DFN1110D- |
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PDTA124EQB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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PDTA124EQB-QZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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PDTA124EQB-QZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
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